Создана сверхбыстрая память DDR5 гигантского объема
Переход на технологию оперативной памяти DDR5 компьютерная индустрия ждет уже несколько лет, поскольку скорости уже упираются в ограничения, наложенные DDR4. На днях SK Hynix наконец-то объявила о запуске первых модулей оперативной памяти DDR5.
Однако первые продукты не будут нацелены на домашние компьютеры. Вместо этого они предназначены для дата-центров, искусственного интеллекта, машинного обучения и других корпоративных применений.
Корейский полупроводниковый гигант объявил еще 28 ноября 2018 года о разработке первой в мире 16 ГБ памяти DDR5 DRAM. Компания заявляет, что ее модуль ОЗУ поддерживает частоты от 4800 МГц до 5600 МГц, что делает ее примерно в 1,8 раза быстрее, чем большинство стандартных комплектов DDR4.
SK Hynix заявляет, что, несмотря на повышенную скорость, DDR5 будет работать на 0,1 В ниже, чем DDR4: с 1,2 В до 1,1 В. Кроме того, компания интегрировала код исправления ошибок (ECC) внутри микросхемы памяти, что позволяет ей самостоятельно исправлять ошибки 1-битного уровня и повышать надежность приложений "в 20 раз".
SK Hynix заявила, что новый тип памяти ОЗУ сможет достичь объема в 256 ГБ с использованием технологии стекирования микросхем через кремниевые переходники (TSV).
Еще в апреле мы узнали, что SK Hynix готовится к производству памяти DDR5-8400 для потребителей. Его 8400 МБ/с дадут ему теоретическую пропускную способность на канал в 67,2 ГБ/с, что превышает номинальный максимум DDR4 25,6 ГБ/с.
Однако первые продукты не будут нацелены на домашние компьютеры. Вместо этого они предназначены для дата-центров, искусственного интеллекта, машинного обучения и других корпоративных применений.
Корейский полупроводниковый гигант объявил еще 28 ноября 2018 года о разработке первой в мире 16 ГБ памяти DDR5 DRAM. Компания заявляет, что ее модуль ОЗУ поддерживает частоты от 4800 МГц до 5600 МГц, что делает ее примерно в 1,8 раза быстрее, чем большинство стандартных комплектов DDR4.
SK Hynix заявляет, что, несмотря на повышенную скорость, DDR5 будет работать на 0,1 В ниже, чем DDR4: с 1,2 В до 1,1 В. Кроме того, компания интегрировала код исправления ошибок (ECC) внутри микросхемы памяти, что позволяет ей самостоятельно исправлять ошибки 1-битного уровня и повышать надежность приложений "в 20 раз".
SK Hynix заявила, что новый тип памяти ОЗУ сможет достичь объема в 256 ГБ с использованием технологии стекирования микросхем через кремниевые переходники (TSV).
Еще в апреле мы узнали, что SK Hynix готовится к производству памяти DDR5-8400 для потребителей. Его 8400 МБ/с дадут ему теоретическую пропускную способность на канал в 67,2 ГБ/с, что превышает номинальный максимум DDR4 25,6 ГБ/с.
